7月20-21日，2023先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛在上海世博展览馆成功召开。无锡芯鉴半导体技术有限公司总经理闫大为做了题为《面向碳化硅及氮化镓功率器件的EMMI测试技术》的主题报告。
EMMI测试技术在碳化硅和氮化镓功率器件的研发、生产和故障分析中发挥着重要作用，有助于改进器件设计、优化制造过程，并提高器件的可靠性和性能。器件失效是指其功能完全或部分丧失，参数漂移退化，或间歇性出现以上情况，失效模式是产品失效的外在表现，有开路、短路、时开时断、功能异常、参数漂移等，器件失效涉及到结构性失效、热失效、电失效、腐蚀性失效等，失效分析的目的是揭示失效的原因，反馈到涉及和制造端，最终解决问题。报告详细介绍了器件失效与EMMI，EMMI的工作原理等技术内容，并分享了具体的应用案例，涉及GaNHEMT的结温分布，GaNHEMT栅极漏电流的退化过程等。该报告吸引了在场众多的听众，总经理与他们进行了深入的交流与探讨。
芯鉴半导体衷心感谢本次先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛的主办方，通过这个报告让行业内更多的人了解本公司，激励着我们继续努力推动中国半导体产业的发展，为客户创造更大的价值。
